Séminaire sur les nanostructures de semi-conducteurs composés et dispositifs à l’échelle nanométrique pour les applications émergentes

À propos de la conférence

Résumé

Les nanostructures de semi-conducteurs composés et les dispositifs à l’échelle nanométrique sont à l’avant-garde de la plupart des avancées technologiques : éclairage à semi-conducteurs, puissance/RF et communications optiques. Parmi les semi-conducteurs, les nitrures du groupe III (GaN et alliages apparentés : InGaN et AlGaN) présentent une diversité inégalée de propriétés physiques, électroniques, photoniques, quantiques et photo(électro)chimiques. En raison de leurs propriétés uniques, ces classes de matériaux sont des catalyseurs essentiels pour un large éventail d’applications émergentes, notamment les micro-écrans, la réalité augmentée/virtuelle (AR/VR), la photonique quantique à l’état solide, la production de carburant en utilisant l’énergie solaire via des processus photocatalytiques (H₂ vert et hydrocarbures) et les applications informatiques neuromorphiques. Cet exposé présentera les avancées récentes en matière d’épitaxie/synthèse, de nanofabrication et de caractérisations structurelles, optiques, électriques, quantiques et neuromorphiques des semi-conducteurs à base de nitrure III pour diverses applications émergentes.

Le professeur Sharif Sadaf est l’invité du professeur François Légaré