Conférence sur la « transconductance négative dans les transistors à effet de champ : Du mécanisme à l’application »  

Professeur qui invite : Emanuele Orgiu

Résumé

La transconductance est définie comme la dérivée de premier ordre du courant de drain par rapport à la tension de grille dans les transistors à effet de champ (FET). Dans un FET ordinaire, la transconductance est positive lorsque le dispos i ti f est « allum é » et de façon générale , il est souhait able d’augmenter sa valeur. Cependant, une transconductance « négative » est observée dans certains transistors à effet de champ spéciaux ou non conventionnels, ce qui stimule divers nouveaux concepts et idées dans la recherche en électronique. Dans cette prése ntation, les progrès récents en matière de FET à transconductance négative seront discut és. La première partie sera consacrée aux matériaux et aux origines structurelles de la transconductance négative dans ces dispositifs, sur la base d’études expérimenta les et de modélisation. La deuxième partie mettra en évidence le principe de logique multivalué e en tant qu’application clé, qui vise à augmenter la densité d’information des circuits numériques pour les domaines centrés sur les données. Les défis actuels et le s retombées de cette technologie avancée seront également abordés.

Biographie

Chang Hyun Kim a obtenu un doctorat en physique de l’École polytechnique (France) en 2013. Il a été boursier à Columbia University (États Unis), au Centre national de la recherche scientifique (France) et à l’Institut des sciences et tech nologies de Gwangju (Corée), avant de rejoindre l’Université de Gachon, en Corée, en 2018 en tant que professeur assistant . En janvier 2024 il a déménagé au Canada en tant que professeur a gr é g é au sein du Département de génie électrique et informatique de l’Université d’Ottawa . Son é quipe développe des modèles, des dispositifs et des applications pour les technologies de l’énergie en couches minces.